GAA

Gate-All-Around. 트랜지스터 크기가 아주 작아지면, 채널의 세 면만 감싸는 기존 핀펫(FinFET) 구조로는 전류가 새어나가 전력을 낭비한다. 게이트로 네 면을 다 감싸면 이 누설을 막아, 크기를 더 줄이면서도 전력을 통제할 수 있다. 삼성은 TSMC보다 먼저 3나노에서 GAA를 도입했고, 이제 HBM5 베이스다이까지 확장하고 있다.

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• 채점 대기 HBM 선두는 SK하이닉스인데, 삼성은 왜 2나노 파운드리 공정을 승부수로 꺼냈을까?HBM5 베이스다이 2나노 GAA 실제 양산과 HBM4E 대비 50%+ 속도 목표 달성 여부를, 업계 전망 시점인 2027~2028년 실제 출하 때 채점.

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• 관점 HBM 선두는 SK하이닉스인데, 삼성은 왜 2나노 파운드리 공정을 승부수로 꺼냈을까? Jukan (@jukan05) · 2026-07-27