기존에는 칩과 칩 사이에 작은 금속 돌기(범프)를 두고 쌓았지만, 하이브리드 본딩은 칩 표면의 구리 배선을 직접 맞붙여 접합한다. 범프가 없어 칩 사이 간격이 좁아지고 신호 속도와 전력 효율이 좋아져, 고대역폭메모리(HBM)를 더 촘촘히 쌓는 차세대 공정으로 주목받는다. 삼성전자·SK하이닉스 모두 양산 도입을 검토하고 있다.