삼성전자가 평택 P5 공장에서 하이브리드 본딩 양산 라인 건설을 시작했고, 공급사로 네덜란드 반도체 장비업체 베시(Besi)를 낙점해 다이투웨이퍼(D2W) 본딩 장비 약 50대를 발주했다고 주칸이 반도체 업계 소식통을 인용해 전했다. 하이브리드 본딩은 칩과 칩 사이에 작은 금속 돌기(범프)를 두는 대신 두 칩의 구리 배선을 직접 맞붙이는 차세대 적층 기술로, 칩 사이 간격이 좁아져 속도와 전력 효율이 좋아진다. 새 라인은 AI 연산장치 옆에 붙는 고속 메모리인 차세대 HBM(고대역폭메모리)과 로직 칩 생산을 목표로 한다. 주칸은 별도 글에서 하이브리드 본딩이 엔비디아의 차세대 AI 칩 '파인만(Feynman)'용 커스텀 HBM에 쓰일 전망이지만, 도입 시기가 기존 HBM4E 세대보다 늦춰졌다고도 짚었는데, 이는 트렌드포스가 최근 보도한 「업계가 이 기술을 감당할 수 있는 건 16단 적층 HBM4E쯤부터」라는 전망과도 맞닿아 있다. 삼성전자는 HBM 시장에서 SK하이닉스에 뒤처져 있었는데, 이번 장비 발주는 격차를 좁히기 위한 구체적인 움직임으로 볼 수 있다.
Why it matters · HBM은 AI 칩의 병목이 되는 핵심 부품이라, 더 촘촘하고 빠른 적층 기술을 확보하는 쪽이 엔비디아·AMD의 차세대 주문을 더 많이 가져간다. 로드맵 발표가 아니라 실제 장비 발주라는 점에서, 삼성전자가 SK하이닉스와의 HBM 격차를 좁히는 데 실제 돈을 쓰기 시작했다는 가장 분명한 신호다.
Samsung Electronics has begun building a hybrid-bonding mass-production line at its Pyeongtaek P5 fab, and has picked Dutch equipment maker BE Semiconductor Industries (Besi) as its preferred supplier, ordering around 50 die-to-wafer bonding machines, according to Jukan citing industry sources. Hybrid bonding is a next-generation chip-stacking method that fuses the copper wiring on two chips directly together instead of using tiny metal bumps in between, which tightens the gap between chip layers and improves speed and power efficiency. The new line is meant to produce next-generation high-bandwidth memory (HBM), the fast memory chips that sit next to AI processors, along with logic chips. In a separate but related post, Jukan notes hybrid bonding now looks set for Nvidia's upcoming Feynman AI chip generation using custom HBM, and that the technology's rollout has been pushed back from the more conventional HBM4E timeline, in line with recent TrendForce reporting that the industry may only be ready for it around 16-high HBM4E stacks. Samsung has trailed SK hynix in HBM market share and is treating this equipment order as a concrete step toward catching up.
Why it matters · HBM is the bottleneck component for AI chips, and whoever masters denser, faster stacking gets a bigger slice of Nvidia and AMD's next-gen orders. A real equipment order, not just a roadmap slide, is the clearest sign yet that Samsung is putting money behind its attempt to close the gap with SK hynix in HBM.
ジュカンが業界関係者の話として伝えたところによると、サムスン電子は平沢(ピョンテク)P5工場でハイブリッドボンディングの量産ラインの建設を始め、供給元にオランダの半導体装置メーカーであるベシ(Besi)を選び、ダイ・トゥ・ウェハー(D2W)ボンディング装置を約50台発注した。ハイブリッドボンディングは、チップとチップの間に小さな金属バンプを挟む代わりに、両チップの銅配線を直接接合する次世代の積層技術で、層と層の間隔が狭まり速度と電力効率が向上する。新ラインは、AIプロセッサーの隣に置かれる高速メモリである次世代HBM(広帯域メモリ)と、ロジックチップの生産を目的とする。ジュカンは別の投稿で、ハイブリッドボンディングはエヌビディアの次世代AIチップ「Feynman」向けカスタムHBMで採用される見通しだが、従来のHBM4E世代からは導入時期が後ろ倒しになったとも指摘しており、これはTrendForceが最近報じた「業界が対応できるのは16層積層のHBM4Eあたりから」との見方とも符合する。サムスンはHBM市場でSKハイニックスに後れを取ってきており、今回の装置発注はその巻き返しに向けた具体的な一歩といえる。
Why it matters · HBMはAIチップのボトルネックとなる部品であり、より高密度で高速な積層技術をものにした企業が、エヌビディアやAMDの次世代チップ向け受注を多く獲得することになる。ロードマップのスライドではなく実際の装置発注であることが、サムスンがSKハイニックスとのHBMでの差を埋めようと本気で投資している何よりの証拠だ。