従来のチップ積層は層の間に小さな金属バンプを使うが、ハイブリッドボンディングはチップ表面の銅配線同士を直接接合する。バンプがなくなることでチップ間の間隔が狭まり、信号速度と電力効率が向上するため、HBM(広帯域メモリ)をより高密度に積層する次世代工程として注目されている。サムスン電子とSKハイニックスの双方が量産導入を検討中。