ジュカンが業界関係者の話として伝えたところによると、サムスン電子は平沢(ピョンテク)P5工場でハイブリッドボンディングの量産ラインの建設を始め、供給元にオランダの半導体装置メーカーであるベシ(Besi)を選び、ダイ・トゥ・ウェハー(D2W)ボンディング装置を約50台発注した。ハイブリッドボンディングは、チップとチップの間に小さな金属バンプを挟む代わりに、両チップの銅配線を直接接合する次世代の積層技術で、層と層の間隔が狭まり速度と電力効率が向上する。新ラインは、AIプロセッサーの隣に置かれる高速メモリである次世代HBM(広帯域メモリ)と、ロジックチップの生産を目的とする。ジュカンは別の投稿で、ハイブリッドボンディングはエヌビディアの次世代AIチップ「Feynman」向けカスタムHBMで採用される見通しだが、従来のHBM4E世代からは導入時期が後ろ倒しになったとも指摘しており、これはTrendForceが最近報じた「業界が対応できるのは16層積層のHBM4Eあたりから」との見方とも符合する。サムスンはHBM市場でSKハイニックスに後れを取ってきており、今回の装置発注はその巻き返しに向けた具体的な一歩といえる。
Why it matters · HBMはAIチップのボトルネックとなる部品であり、より高密度で高速な積層技術をものにした企業が、エヌビディアやAMDの次世代チップ向け受注を多く獲得することになる。ロードマップのスライドではなく実際の装置発注であることが、サムスンがSKハイニックスとのHBMでの差を埋めようと本気で投資している何よりの証拠だ。
考えるべき点 · サムスンはHBMでの巻き返しを何度も表明してきたが、市場シェアにはまだ十分反映されていない。今回のような具体的な装置発注はその流れを変えるのか、それともSKハイニックス自身のハイブリッドボンディング・パイロットラインと比べるにはまだ早すぎるのか。