Samsung Electronics is consolidating its DRAM production facilities at its Hwaseong campus while expanding capacity to increase the supply of commodity DRAM.
Samsung's commodity DRAM production capacity is expected to be about 15% higher by year-end than at the start of the year.
삼성전자가 화성캠퍼스의 D램 생산 공정을 한곳에 모아 연말까지 생산능력을 연초 대비 약 15% 늘리기로 했다. 반도체 애널리스트 주칸이 27일 국내 업계 소식통을 인용해 전했다.
반도체를 만드는 공정은 크게 두 단계로 나뉜다. 웨이퍼 위에 트랜지스터와 회로를 새기는 메인팹, 그리고 그렇게 만들어진 부품을 연결해 완성하는 엔드팹이다. 엔드팹은 전공정의 마지막 단계이자 반도체가 실제로 쓸 수 있는 형태로 다듬어지는 곳이다. 삼성전자 메모리제조기술센터는 이달 태스크포스를 꾸려 화성 1캠퍼스(H1)에 범용(커머디티) D램 전용 엔드팹을 새로 만들기 시작했다. 화성 2캠퍼스(H2)와 충남 천안캠퍼스에 흩어져 있던 엔드팹 장비를 H1으로 옮기고, 비워진 자리에 생산라인을 더 넣는 방식이다.
그동안 삼성은 화성의 메인팹을 넓혀온 반면 엔드팹 일부는 천안에 남겨뒀다. 메인팹과 엔드팹이 물리적으로 떨어져 있다 보니 완제품이 나오기까지 시간이 더 걸렸고, 이게 범용 D램 공급을 늘리는 데 걸림돌이었다. 이번 재편은 메모리 노후 라인을 걷어내며 생긴 H1의 유휴 클린룸 공간을 활용한다. 새 공장을 짓는 대신 있는 클린룸을 고쳐 쓰는 방식이라 투자비와 공사 기간을 함께 줄일 수 있다. 준영현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장이 이 공간의 활용법을 검토한 끝에 새 엔드팹 거점으로 정했다고 한다. 메인팹과 엔드팹을 처음부터 한곳에 모아 지은 평택캠퍼스의 생산 방식을 화성에도 그대로 들여오는 셈이다.
업계 관계자는 연말 삼성전자의 범용 D램 생산능력이 연초 대비 약 15% 늘어날 것이라고 전했다. 웨이퍼를 후공정 라인으로 한 번에 모아 옮길 수 있게 되면서 물류 효율도 함께 좋아진다는 설명이다. 이 소식은 올해 상반기에만 DDR4 가격이 80% 넘게 뛴 상황과 맞물린다. 메모리 품귀가 심해지면서 애플 같은 대형 고객사가 중국산 D램 조달까지 검토하는 지경인데, 삼성전자 입장에서는 값싼 외부 조달에 기대는 대신 자체 생산량을 늘려 이 수요를 직접 받아내려는 움직임으로 읽힌다.
투자 포인트 · 삼성전자가 값싼 외부 조달 대신 자체 생산능력을 늘리는 쪽을 택했다는 건 그만큼 메모리 시장이 빠듯하다는 뜻이고, 연말까지 늘어나는 이 물량이 스마트폰·PC 업체를 압박해온 품귀를 얼마나 풀어줄지가 관전 포인트다.
짚어볼 점 · 삼성전자의 15% 증산으로 D램 품귀가 풀릴까, 아니면 수요가 여전히 공급을 앞지를까?