米国が締めた大連工場を、SKハイニックスがいま建て直す理由は何だろう

SKハイニックスが、中国・大連で建てかけのまま止めていたNAND第2工場の建設を再開した。 4年間は骨組みだけの状態で、完成すれば同社の中国内の生産能力はおよそ5割増える。 装備は早ければ11月から搬入され、量産の目標は2027年上半期だ。

SKハイニックス、下半期に大連第2工場の増設を再開か、新規V8 NANDラインを追加 (TrendForce、2026-07-10)

출처: trendforce.com

同じ動きは7月に一度伝えられている。 そのとき記された第2工場の月間ウェハー投入目標は3万〜5万枚で、今回伝わった5万枚はその上限にあたる。 ただしその報道は大連に238層ラインが入ると書き、今回の報道は大連が100層級を担うと言う。二つの話はまだ噛み合っていない。

大連はなぜ低い積層を担うのか

ここで引っかかることが一つある。 米国は昨年、この工場を許可免除の名簿から消した。 検証済み最終需要者(VEU)は、米国が指定した中国内の工場に限って、米国産の装備と技術を1件ずつ許可を取らずに送れるようにした制度だ。 平たく言えば通行証である。 通行証があれば、装置を1台動かすたびにワシントンに尋ねなくてよい。 米商務省は2025年9月2日にこの通行証を取り上げると官報に載せ、12月31日から効力が生じた。 名簿には三星の中国法人、SKハイニックスの中国法人と並んで「インテル半導体(大連)」が記されている。 最後の名前が、SKハイニックスがインテルから引き継いだまさにその大連工場だ。

192層と286層

大連が作るものはすでに決まっている。 フローティングゲートはインテルが使っていたNANDの記憶方式で、電荷を閉じ込める島をセルごとに持たせる構造だ。 仕切りが丈夫で隣に漏れないが、層を高く積むことでは後れを取った。

ソリダイム副社長が語る次世代フローティングゲートNAND (Tom's Hardware、2026-06-26)

출처: tomshardware.com

このインタビューでソリダイム側は、セルの仕切りが丈夫だからQLCを押し続けられると説明した。 同じ場で、自社のNANDはまだ192層で、次の世代は下半期に来るとも述べている。 原文が大連に100層級を任せると書いた箇所は、ここから読めるとおりだ。1件ずつ許可を要する工場に先端ラインを賭けるのは難しい。 また原文は、NAND価格が1年前の10倍近くまで跳ね上がったと書いた。 確認できたのはそこまでではない。キングストンが示したNANDウェハー価格の上昇幅は2026年1〜3月時点で前年同期比246%、3.5倍ほどだ。

2027年上半期に見えるもの

残る問いは、大連がまた回るかどうかではない。 1件ずつ許可を要する工場がどこまで上がれるか、である。 装備の搬入が11月に始まり2027年上半期に量産がかかれば、低い積層のNANDは許可体制の中でも回るということだ。 搬入か量産の時期が後ろにずれるなら、詰まったのは金ではなく許可のほうだ。 清州M17には19兆1,000億ウォンを入れ2028年12月に最初のクリーンルームを開く日程が並んでいるので、二つの工場の時間表がどれだけ開くかがその答えを代わりに語る。