중국 매체가 인용한 소식통에 따르면, CXMT는 LPDDR6 개발에서 진전을 더 이뤄 개발 검증이 마무리 단계에 들어갔고 양산에 한 걸음 더 가까워졌다.
16Gb 메모리 다이를 쓰고 패키지 전체 용량은 16GB이며, 1,295볼 PoP 패키지를 적용한다.
중국 CXMT가 만든 첫 LPDDR6의 설계 속도는 초당 12,800메가비트다. 같은 규격을 준비 중인 SK하이닉스의 목표는 14,400메가비트이고, 그 차이에 중국이 쓸 수 있는 노광장비의 한계가 그대로 들어가 있다.
CXMT, LPDDR6 양산에 근접 (차이나데일리, 2026-08-03)차이나데일리는 CXMT가 첫 LPDDR6의 개발 검증을 마무리하는 단계이며 16기가비트 다이를 써서 패키지 용량 16기가바이트, 1,295볼 적층 패키지로 만든다고 전했다. 같은 기사는 공개된 진척으로는 SK하이닉스가 가장 앞서 있고 올해 하반기 양산을 준비 중이라고 덧붙였다.
휴대폰과 노트북의 기판에 직접 붙는 저전력 D램이 LPDDR이고, 그 최신 세대가 LPDDR6다. 서버에 꽂는 막대 형태와 달리 기기 안에 붙박이로 들어가기 때문에, 나중에 갈아 끼울 수 없고 살 때 정해진 속도가 기기의 수명 동안 그대로 간다. 속도는 초당 몇 메가비트를 주고받느냐로 적는다. 기기 안에서 인공지능 기능을 돌릴수록 저장된 값을 꺼내 오는 속도가 병목이 되기 때문에, 이 숫자가 어느 급의 제품에 들어갈 수 있는지를 정한다.
CXMT의 12,800은 삼성전자가 CES에서 시연한 10,700보다는 높고 SK하이닉스의 14,400에는 11% 못 미친다. 뒤처졌다고만 보기도, 따라잡았다고 보기도 어려운 자리다. 규격의 상단을 못 채우는 것이 무엇 때문인지가 이 숫자의 핵심이다.
2026-08-03 조회 · CXMT 수치는 원문, SK하이닉스·삼성 목표치는 TechTimes 보도 인용
테크타임스는 이 격차의 원인을 회로를 새기는 방식에서 찾는다. SK하이닉스는 파장 13.5나노미터의 극자외선 장비로 한 번에 새기고, CXMT는 그보다 파장이 긴 심자외선 장비로 여러 번 겹쳐 새긴다. 겹쳐 새기면 판을 여러 번 맞춰야 하고, 맞출 때마다 어긋남이 조금씩 쌓인다. 쌓인 어긋남은 회로 전체가 견딜 수 있는 최고 속도를 깎는다. 만들어 놓고 속도별로 골라내는 과정에서 상단이 잘려 나가는 것이다. 중국은 극자외선 장비를 한 대도 들여오지 못하고 있다. 그러니 이 11%는 CXMT의 설계 실력 문제가 아니라 장비 접근권의 문제에 가깝다.
결국 질문은 하나다. 이번 진척이 규격을 따라잡는 과정인지, 규격의 상단에서 멈추는 천장인지. 가릴 지점은 다음 세대다. LPDDR6 안에서 12,800이 14,400으로 올라가면 다중노광으로도 상단에 닿는다는 뜻이고, 다음 세대에서도 같은 11% 언저리가 남으면 그 자리가 천장이다. 중국의 메모리는 값으로 먼저 들어와 규격으로 올라오는 길을 걸어 왔다. 이번 숫자는 그 길이 어디까지 뚫려 있는지를 처음으로 소수점까지 보여 준 자료다. 노광장비가 마지막 병목이라는 말이 제품 규격서에 적히는 방식이기도 하다.
채점 대기CXMT의 LPDDR6가 실제로 양산에 들어가고 채용 기기가 공개될 때 채점한다. 공개 속도가 12,800Mbps대에 머물면 노광 방식이 상단을 막았다는 판단이 맞은 것으로, 14,400Mbps에 닿으면 틀린 것으로 본다.